Automotive-MOSFETs in kompakten Gehäusen mit benetzbaren Flanken

Elektronische Systeme im Automobil erfordern weiterhin eine höhere Bauteildichte bei gleichzeitig hoher Zuverlässigkeit und Fertigungssicherheit gemäß Automotive-Qualifikationsstandards. In diesem Zusammenhang hat Toshiba Electronics Europe fünf Automotive-MOSFETs im DFN2020B-Gehäuse mit benetzbaren Seitenflächen vorgestellt, um Miniaturisierung und automatisierte Inspektionsprozesse zu unterstützen.

Gehäusedesign zur Unterstützung automatisierter Fertigungsinspektion
Die neu eingeführten N-Channel-Bauelemente (XSM6K361NW, XSM6K519NW, XSM6K376NW, XSM6K336NW) sowie der P-Channel-MOSFET XSM6J372NW verwenden das DFN2020B(WF)-Gehäuse mit benetzbarer Flankenstruktur zur Verbesserung der Lötstelleninspektion während der Fertigung.

Das Gehäusedesign verbessert die Benetzbarkeit der Lötflächen im Vergleich zum UDFN6B-Gehäuse von Toshiba und erhöht die Sichtbarkeit der Lötmenisken, sodass automatisierte optische Inspektionssysteme (AOI) die Qualität der Lötstellen zuverlässiger prüfen können. Mechanische Tests zeigten zudem eine um etwa 23 % höhere Scherfestigkeit der Lötstellen im Vergleich zum SOT-23F-Gehäuse, was die Montagezuverlässigkeit erhöht.

Größenreduktion für hochintegrierte Automotive-Elektronik
Mit typischen Abmessungen von 2,0 mm × 2,0 mm × 0,6 mm reduziert das DFN2020B(WF)-Gehäuse die benötigte Leiterplattenfläche um etwa 43 % und die Bauhöhe um etwa 25 % gegenüber dem SOT-23F-Gehäuse (2,4 mm × 2,9 mm × 0,8 mm).

Diese Reduktion unterstützt die fortschreitende Miniaturisierung von Automotive-Elektronikmodulen, bei denen begrenzter Leiterplattenplatz weiterhin ein entscheidender Konstruktionsfaktor ist, insbesondere in verteilten Steuerungsarchitekturen.

Verlustleistung in kompakten MOSFET-Gehäusen
Trotz der kompakten Bauform verfügen die Bauelemente über eine vergleichsweise hohe Verlustleistungsfähigkeit. So erreicht der XSM6K361NW eine maximale Verlustleistung von 1,84 W gegenüber 1,2 W beim SSM3K361R im SOT-23F-Gehäuse.

Damit eignen sich die Komponenten für Anwendungen, die kompakte Hochleistungs-Schaltbauelemente erfordern, etwa DC-DC-Wandler in elektronischen Steuergeräten (ECUs) sowie Lastschalter in LED-Beleuchtungssystemen.

Automotive-Qualifikation und Produktausblick
Die MOSFETs erfüllen die Anforderungen des Automotive-Zuverlässigkeitsstandards AEC-Q101 und entsprechen dem Production Part Approval Process (PPAP) gemäß dem Automotive-Qualitätsmanagementstandard IATF 16949.

Toshiba plant zudem, sein MOSFET-Portfolio auf Basis des DFN2020B(WF)-Gehäuses weiter auszubauen, einschließlich zukünftiger 2-in-1-MOSFET-Lösungen für Automotive-Anwendungen.

Redigiert von der Industriejournalistin Aishwarya Mambet, mit KI-Unterstützung.

www.toshiba.com