Automotive-konforme SiC-MOSFETs von Diodes Incorporated sorgen für effizientere Automotive-Subsysteme

Diodes Incorporated stellt mit dem DMWSH120H90SM4Q und DMWSH120H28SM4Q automotive-konforme Siliziumkarbid-/SiC-MOSFETs vor und erweitert damit sein Angebot an Wide-Bandgap-/WBG-Halbleitern.

Die n-Kanal-MOSFETs erfüllen die steigende Nachfrage nach SiC-Lösungen, die einen besseren Wirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte in Automotive-Subsystemen für Elektro- und Hybridfahrzeuge (EV/HEV) ermöglichen, z.B. für Batterieladegeräte, On-Board-Ladegeräte (OBC), hocheffiziente DC/DC-Wandler, Motortreiber und Traktionswechselrichter.

Der DMWSH120H90SM4Q arbeitet sicher und zuverlässig bis zu einer UDS von 1200 V mit einer UGS von +15/-4V und weist einen RDS(ON) von 75 mΩ (typ.) bei UDS = 15 V auf. Dieser Baustein ist für OBCs, Kfz-Motortreiber, DC/DC-Wandler in EV/HEV und Batterieladesysteme konzipiert.

Der DMWSH120H28SM4Q arbeitet bis zu einer UDS von 1200 V, einer UGS von +15/-4 V und weist einen niedrigeren RDS(ON) von 20 mΩ (typ.) bei UDS = 15 V auf. Dieser MOSFET wurde für Motortreiber, EV-Traktionswechselrichter und DC/DC-Wandler in anderen EV/HEV-Subsystemen entwickelt. Der niedrige RDS(ON) minimiert, in Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte erfordern, die Selbsterwärmung.

Beide Produkte haben eine niedrigen thermischen Widerstand (RθJC = 0,6 °C/W), die Drain-Ströme von bis zu 40 A beim DMWSH120H90SM4Q und 100 A beim DMWSH120H28SM4Q ermöglicht. Sie verfügen außerdem über schnelle und robuste Body-Dioden mit einer niedrigen Sperrverzögerungsladung (Qrr) von 108,52 nC beim DMWSH120H90SM4Q und 317,93 nC beim DMWSH120H28SM4Q. Dies sorgt für schnelles Schalten bei reduzierter Verlustleistung.

Über einen planaren Fertigungsprozesses bietet Diodes nun MOSFETs an, die eine robustere und zuverlässigere Leistungsfähigkeit in Automotive-Anwendungen bieten – und zwar mit einem höheren Drain-Strom sowie einer höheren Durchbruchspannung, Sperrschichttemperatur und Leistungsfähigkeit im Vergleich zu den bisher veröffentlichten Versionen. Die Bausteine werden im TO247-4-Gehäuse (Typ WH) ausgeliefert, das einen zusätzlichen Kelvin-Messanschluss bietet. Dieser kann an die Quelle angeschlossen werden, um die Schaltleistung zu optimieren, was die Leistungsdichte noch weiter erhöht.

Der DMWSH120H90SM4Q und DMWSH120H28SM4Q sind AEC-Q101-qualifiziert, werden in IATF-16949-zertifizierten Einrichtungen hergestellt und unterstützen PPAP-Dokumentation. Der DMWSH120H90SM4Q ist zum Preis von 18 US-$; der DMWSH120H28SM4Q zum Preis von 38 US-$ (jeweils ab 1000 Stück) erhältlich.

www.diodes.com

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