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09
'26
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Infineon SiC-Technologie treibt ADVANTICS-Megawatt-Umrichter an
Die Kooperation integriert CoolSiC-MOSFETs in flüssigkeitsgekühlte modulare Plattformen für das Laden von Elektro-Schwerlastfahrzeugen und Energiespeicheranwendungen.
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Infineon Technologies AG liefert seine CoolSiC™ 1200 V MOSFETs sowie EiceDRIVER™-Gatetreiber an ADVANTICS für eine neue Reihe flüssigkeitsgekühlter Stromrichter. Diese Systeme wurden speziell für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte entwickelt, darunter Megawatt Charging Systems (MCS) für den Schwerlastverkehr, die Elektrifizierung der Schifffahrt sowie DC-Mikronetze für Rechenzentren. Durch den Einsatz der Siliziumkarbid-Technologie (SiC) zielt die Partnerschaft darauf ab, die Ladeengpässe zu überwinden, die derzeit die Dekarbonisierung des industriellen Schwerlasttransports behindern.
Technische Plattform-Architektur
Die Umrichter-Plattform von ADVANTICS verfolgt einen modularen Ansatz, um hohe Leistungsabgaben zu erreichen:
- Skalierbare Bausteine: Jede Einheit basiert auf modularen 100-kW-Blöcken, was eine flexible Skalierung des Gesamtsystems bis in den Megawatt-Bereich ermöglicht.
- Leistungskennzahlen: Die Umrichter erreichen einen Spitzenwirkungsgrad von 98,5 % und unterstützen weite Spannungsbereiche von bis zu 1500 V, was einen bidirektionalen Energiefluss zwischen Stromnetzen und Speichersystemen erleichtert.
- Thermomanagement: Die Integration einer Flüssigkeitskühlung ist entscheidend, um die hohe Leistungsdichte innerhalb der kompakten Module aufrechtzuerhalten und eine langfristige Zuverlässigkeit in anspruchsvollen industriellen Umgebungen zu gewährleisten.
Strategische Auswirkungen auf die Infrastrukturelektrifizierung
Der Übergang zur MCS-Technologie ist für Sektoren unerlässlich, in denen herkömmliche Ladegeschwindigkeiten nicht ausreichen. Durch die Nutzung von SiC-Leistungshalbleitern ermöglicht das System:
Der Übergang zur MCS-Technologie ist für Sektoren unerlässlich, in denen herkömmliche Ladegeschwindigkeiten nicht ausreichen. Durch die Nutzung von SiC-Leistungshalbleitern ermöglicht das System:
- Schnelleres Laden: Geschwindigkeiten, die bis zu zehnmal schneller sind als bei der aktuellen Standardinfrastruktur für Schwerlastfahrzeuge.
- Netzkompatibilität: Nahtlose Integration zwischen Hochleistungsnetzanschlüssen, Batteriespeichern und Ladestationen.
- Nachhaltigkeit: Direkte Unterstützung der Elektrifizierung von „schwer zu dekarbonisierenden“ Sektoren wie dem Fernverkehr, dem Bergbau und dem maritimen Transport.
Zusätzlicher Kontext: Die Rolle von SiC bei Megawatt-Ladungen
Megawatt-Laden erfordert Leistungshalbleiter, die bei hohen Frequenzen schalten können und gleichzeitig die Schaltverluste minimieren. Silizium-basierte (Si) Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) stoßen bei diesen Frequenzen oft an ihre Grenzen, da sie erhebliche Wärme erzeugen, was sperrige passive Kühlkomponenten erfordert. Infineon’s CoolSiC™-MOSFETs hingegen nutzen ein Wide-Bandgap-Material, das einen deutlich niedrigeren Durchlasswiderstand (On-Resistance) und schnellere Schaltvorgänge ermöglicht. In einem 100-kW-Modulblock ist diese Reduzierung der Schaltverluste der Hauptgrund für den hohen Wirkungsgrad von 98,5 %. Da die SiC-Module weniger Abwärme erzeugen, kann die Kühlinfrastruktur (Pumpen, Radiatoren, Kühlmittelvolumen) deutlich kleiner dimensioniert werden, was zur kompakten Bauweise der ADVANTICS-Umrichter beiträgt. Dieser Effizienzgewinn ist nicht nur ein Leistungsparameter; er senkt direkt die Betriebskosten der Ladestation, da der „Energie-Overhead“, der durch die interne Elektronik des Ladegeräts verbraucht wird, reduziert wird.
Redaktionell bearbeitet von Lekshman Ramdas, Induportals-Redakteur – angepasst durch KI.
www.infineon.com
Megawatt-Laden erfordert Leistungshalbleiter, die bei hohen Frequenzen schalten können und gleichzeitig die Schaltverluste minimieren. Silizium-basierte (Si) Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) stoßen bei diesen Frequenzen oft an ihre Grenzen, da sie erhebliche Wärme erzeugen, was sperrige passive Kühlkomponenten erfordert. Infineon’s CoolSiC™-MOSFETs hingegen nutzen ein Wide-Bandgap-Material, das einen deutlich niedrigeren Durchlasswiderstand (On-Resistance) und schnellere Schaltvorgänge ermöglicht. In einem 100-kW-Modulblock ist diese Reduzierung der Schaltverluste der Hauptgrund für den hohen Wirkungsgrad von 98,5 %. Da die SiC-Module weniger Abwärme erzeugen, kann die Kühlinfrastruktur (Pumpen, Radiatoren, Kühlmittelvolumen) deutlich kleiner dimensioniert werden, was zur kompakten Bauweise der ADVANTICS-Umrichter beiträgt. Dieser Effizienzgewinn ist nicht nur ein Leistungsparameter; er senkt direkt die Betriebskosten der Ladestation, da der „Energie-Overhead“, der durch die interne Elektronik des Ladegeräts verbraucht wird, reduziert wird.
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