Infineon und Hon Hai Technology Group (Foxconn) unterzeichnen MoU für Zusammenarbeit bei SiC und Nutzung der jeweiligen Expertise in der EV-Entwicklung

Die Infineon Technologies AG, führender Anbieter von Automotive-Halbleitern, und die Hon Hai Technology Group wollen eine langfristige Partnerschaft im Bereich Elektrofahrzeuge (EV) eingehen.

Peter Schiefer (Präsident der Automotive-Division von Infineon), Jun Seki (Chief Strategy Officer für EVs bei Foxconn) (von links nach rechts).

Ziel ist die gemeinsame Entwicklung fortschrittlicher Elektromobilität mit effizienten und intelligenten Funktionen. Das Memorandum of Understanding (MoU) konzentriert sich auf Entwicklungen mit Siliziumkarbid (SiC), wobei sowohl SiC-Innovationen von Infineon im Automotive-Bereich als auch Foxconns Know-how bei Automobilsystemen zum Tragen kommen.

„Die Automobilindustrie verändert sich erheblich. Das rasante Wachstum des Marktes für E-Autos und die damit verbundene Nachfrage nach mehr Reichweite und Leistung machen die Weiterentwicklung der Elektromobilität erforderlich“, sagt Peter Schiefer, Präsident der Automotive-Division von Infineon. „Wir bieten Produkte von hoher Qualität und hohem Innovationsgrad. Das hat uns zum geschätzten Halbleiterpartner unserer Kunden gemacht. Wir freuen uns darauf, gemeinsam mit Foxconn ein neues Kapitel der Elektromobilität zu schreiben.“

„Wir freuen uns über die Zusammenarbeit mit Infineon und sind zuversichtlich, dass diese Kooperation zu einer optimierten Architektur, Produktperformance, Kosteneffizienz und hoher Systemintegration führen wird. So können wir unseren Kunden die wettbewerbsfähigsten Lösungen für die Automobilindustrie anbieten“, sagt Jun Seki, Chief Strategy Officer für EVs bei Foxconn.

Das MoU sieht vor, dass die beiden Unternehmen bei der Implementierung von SiC-Technologie in automobilen Anwendungen mit hoher Leistung wie Traktionswechselrichter, On-Board-Ladegeräte und DC-DC-Wandler zusammenarbeiten. Beide Parteien beabsichtigen, gemeinsam EV-Lösungen mit hervorragender Leistung und Effizienz zu entwickeln. Diese basieren auf dem Systemverständnis, der technischen Unterstützung und dem SiC-Produktangebot von Infineon in Kombination mit dem Elektronikdesign- und Fertigungs-Know-how sowie der Fähigkeit zur Systemintegration von Foxconn.

Darüber hinaus planen die beiden Unternehmen, ein Applikationszentrums in Taiwan zu eröffnen, um ihre Zusammenarbeit weiter auszubauen. Dieses Zentrum wird sich auf die Optimierung von Fahrzeuganwendungen konzentrieren, einschließlich intelligenter Kabinenanwendungen, fortschrittlicher Fahrerassistenzsysteme und Anwendungen für autonomes Fahren. Zusätzlich sollen auch Anwendungen im Bereich der Elektromobilität wie Batteriemanagementsysteme und Traktionswechselrichter entwickelt werden. Die Kooperation deckt ein breites Spektrum an Automotive-Produkten von Infineon ab, darunter Sensoren, Mikrocontroller, Leistungshalbleiter, Hochleistungsspeicher für spezielle Anwendungen, Mensch-Maschine-Schnittstellen und Sicherheitslösungen. Das Applikationszentrum wird voraussichtlich im Laufe des Jahres 2023 eröffnet.

www.infineon.com

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